MUR1660CT反向恢复过程以及注意点

　　MUR1660CT反向恢复过程以及注意点

　　随着社会的快速发展，科技水平的提高，出现了一系列新的产品，MUR1660CT就是其中一种，因为其优良的特性，一进入市场，就受到了广大消费者的青睐，在市场中占领了一席之地。关于MUR1660CT的知识也是很多的呢。本文想要给大家介绍的是MUR1660CT反向恢复过程以及注意点。

　　MUR1660CT反向恢复过程：正向时积累在各区的大量少子要被反向偏置电压拉回到原来的区域，开始时的瞬间，流过P-N结的反向电流很大，经过一段时间后，原本积累的载流子一部分通过复合，一部分被拉回原来的区域，反向电流才恢复到正常情况下的反向漏电流值IR。正向导通时少数载流子积累的现象称为电荷储存效应。MUR1660CT的反向恢复过程就是由于电荷储存所引起的，反向电流保持不变的这段时间就称为储存时间ts。在ts之后，P-N结上的电流到达反向饱和电流IR，P-N结达到平衡，定义流过P-N结的反向电流由I2下降到0.1 I2时所需的时间为下降时间tf。储存时间和下降时间之和为(ts+tf)称为P-N结的关断时间(即为反向恢复时间)。

　　MUR1660CT反向恢复注意点：(1)如果脉冲持续时间比MUR1660CT反向恢复时间长得多，这时负脉冲能使MUR1660CT关断，起到良好的开关作用;(2) 如果脉冲持续时间和MUR1660CT的反向恢复时间差不多甚至更短的话，这时由于反向恢复过程的影响，负脉冲不能使MUR1660CT关断。所以要保持良好的开关作用，脉冲持续时间不能太短，也就意味着脉冲的重复频率不能太高，这就限制了开关的速度。

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